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MMBT3904LT1	文件：230.8 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT3904LT1	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：40.72 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEKAvic Technology Avic Technology	AVICTEK
MMBT3904LT1	文件：43.05 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT3904LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingamplifierapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904LT1	文件：80.17 Kbytes Page：2 Pages	Transistors (NPN) FEATURES ■Powerdissipation,PCM:0.2W(Tamb=25℃) ■Collectorcurrent,ICM:0.2A ■Collector-basevoltage,V(BR)CBO:60V ■Operatingandstoragejunctiontemperaturerange: TJ,Tstg:-55℃to+150℃ ■SOT-23plastic-encapsulatepackage DeviceMarking:AM1	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MMBT3904LT1	文件：664.57 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor •RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH. •Weight:0.008g	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3904LT1	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •ComplementaryPairwithMMBT3906LT1. •CollectorDissipation:Pc=225mW •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •NPNEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904LT1	文件：101.29 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor (NPN Silicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：119.96 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：132.06 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：143.64 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor Features •TheseDevicesarePbïFree,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AECïQ101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1_15	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 TRANSISTOR	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904LT1G	文件：101.29 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor (NPN Silicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SOT23	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
LMBT3904LT1	文件：160.2 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904LT1G	文件：160.2 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904LT1G	文件：331.01 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=5dB(MAX) @VCE=5.0V,f=10Hzto15.7kHz,IC=100uA,RS=1.0kΩ •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiers andlinearbroadbandamplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
MMBT3904LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT3904LT1供应商更新时间2024-4-30 13:36:00

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