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MMBT3904LT1	文件：230.8 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT3904LT1	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	Marking：1AM；Package：SOT-23；General Purpose Transistor(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：40.72 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT3904LT1	文件：43.05 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT3904LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingamplifierapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904LT1	文件：80.17 Kbytes Page：2 Pages	Transistors (NPN) FEATURES ■Powerdissipation,PCM:0.2W(Tamb=25℃) ■Collectorcurrent,ICM:0.2A ■Collector-basevoltage,V(BR)CBO:60V ■Operatingandstoragejunctiontemperaturerange: TJ,Tstg:-55℃to+150℃ ■SOT-23plastic-encapsulatepackage DeviceMarking:AM1	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MMBT3904LT1	文件：664.57 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor •RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH. •Weight:0.008g	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3904LT1	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •ComplementaryPairwithMMBT3906LT1. •CollectorDissipation:Pc=225mW •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •NPNEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904LT1	文件：101.29 Kbytes Page：6 Pages	Marking：1AM；Package：SOT-23；General Purpose Transistor (NPN Silicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：119.96 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT3904LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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