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MMBT2131T1	文件：115.58 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Bipolar Junction Transistor (Complementary NPN Device: MMBT2132T1/T3) NOTE: Voltage and Current are negative for the PNP Transistor. Features • Pb−Free Package is Available 文件：115.58 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2131T1	文件：66.33 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors 文件：66.33 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2131T1_06	文件：66.33 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors 文件：66.33 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2131T1G	文件：66.33 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors 文件：66.33 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2131T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.7A SC74	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT2131T1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 700mA 40V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MMBT2131T1供应商更新时间2026-1-29 15:30:00

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