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MMBT2222	文件：47.16 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PMBT2907A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MMBT2222	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MMBT2222	文件：60.61 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtaped	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT2222	文件：367.09 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Transistors NPNGeneralPurposeAmplifier P/Lead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2222	文件：49.85 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Sourcedfromprocess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222	文件：262.16 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Medium Power Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2222	文件：608.44 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GenernalPurposeAmplifier	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBT2222	文件：201.59 Kbytes Page：4 Pages	Marking：M1B；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier. ●Switchingrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2222	文件：817.75 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Features Collectorcurrentsupto600mA. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT2222	文件：407.91 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	Surge Surge Components	Surge

产品属性

产品编号：
MMBT2222
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3

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