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MMBT2369AL	文件：94.17 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2369-G	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS Features -Powerdissipation PC=0.3W	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT2369L	文件：215.83 Kbytes Page：8 Pages	SwitcingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2369L	文件：94.17 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMPQ2369	文件：149.62 Kbytes Page：4 Pages	QuadSwitchingTransistorNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMPQ2369	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPQ2369	文件：137.96 Kbytes Page：1 Pages	QUADTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMPQ2222andMPQ2222AtypesarecomprisedoffourindependentNPNsilicontransistorsmountedina14-pinDIP,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS2369	文件：41.16 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingTransistors(NPNSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS2369	文件：97.88 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPS2369	文件：90.03 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistors SwitchingTransistorsNPNSilicon	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
MMBT2369A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MMBT2369A_Q供应商更新时间2025-5-19 10:18:00

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