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MMBT2222A-AU	文件：604.71 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2222ADW	文件：311.54 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT2222AE	文件：214.37 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION NPNEpitaxialplanarSiliconTransistor FEATURES ComplementaryPNPTypeavailable(MMBT2907AE) PPLICATION generalpurposeamplifier,switching. Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM, DVD-ROM,NotebookPC,etc.)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT2222AE	文件：1.12483 Mbytes Page：9 Pages	40VNPNSmallSignalTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
MMBT2222AG	文件：880.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT2222A-G	文件：137.07 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandamplifierapplication. MechanicalData •Case:SOT-23PlasticPackage •Weightapprox:0.008g	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT2222AGH	文件：84.84 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Halogen-freetype Leadfreeproduct	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT2222A-HF	文件：155.98 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor RoHSDevice HalogenFree Features -NPNsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingandamplifierapplication. Mechanicaldata -Case:SOT-23,moldedplastic. -Terminals:solderableperMIL-STD-750,method2026. -Approx.weight:0.008grams	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT2222AK	文件：48.47 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222AL	文件：165.55 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT2222A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MMBT2222A_Q供应商更新时间2025-5-8 16:47:00

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