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MMBT2132T3

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor (Complementary PNP Device: MMBT2131T1/T3)

文件:113.47 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2132T3

General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor

文件:59.97 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2132T3

Package:SC-74,SOT-457;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 0.7A SC74

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2132T3_06

General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor

文件:59.97 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2132T3G

General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor

文件:59.97 Kbytes 页数:4 Pages

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安森美半导体

MMBT2132T3G

General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor

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Package:SC-74,SOT-457;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 0.7A SC74

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安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT2132T3

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 70mA,700mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 100mA,3V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-74,SOT-457

  • 供应商器件封装:

    SC-74

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.7A SC74

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