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MMBT2222A-TP	文件：120.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222A-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.6A SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222ATTD	文件：114.25 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222AT-TP	文件：113.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof150mWattsofPowerDissipation •OperatingandStorageJunctionTemperatures-55ćto150ć •CollectorCurrent:0.6A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222AU	文件：293.51 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMBT2907AU)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT2222AW	文件：402.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeAmplifiers P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2222AW	文件：258.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2222AW	文件：1.36804 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURE ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907AW) EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222AW	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER150mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2222AW	文件：51.67 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor Features ●Generalpurposetransistor.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
MMBT2222A-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

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