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MPQ2484	文件：137.96 Kbytes Page：1 Pages	QUADTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMPQ2222andMPQ2222AtypesarecomprisedoffourindependentNPNsilicontransistorsmountedina14-pinDIP,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PN2484	文件：324.55 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PN2484	文件：93.36 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
PN2484	文件：93.36 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
PN2484	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors TO-92Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PN2484	文件：321.29 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN2484	文件：59.98 Kbytes Page：1 Pages	LOWLEVEL,LOWNOISENPNSILICONPLANARTRANSISTORS FEATURES ●HighBreakdownVoltageBVCBO...60V ●HighGainhFE...200@500μA ●LowNoise...3dB APPLICATIONS ■LowLevel,LowNoiseAmplifier ■AudioThroughHighFrequencyRanges ■OperationalAmplifier	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
PN2484	文件：39.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1µto50mA. SourcedfromProcess07.See2N5088forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RF2484	文件：156.4 Kbytes Page：10 Pages	DIRECTQUADRATUREMODULATOR ProductDescription TheRF2484isamonolithicintegratedquadraturemodulatorICcapableofuniversaldirectmodulationforhighfrequencyAM,PM,orcompoundcarriers.Thislow-costICfeaturesexcellentlinearity,noisefloor,andover-temperaturecarriersuppressionperformance.Thedeviceimp	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2484	文件：340.71 Kbytes Page：12 Pages	DIRECTQUADRATUREMODULATOR	RFMD RF Micro Devices	RFMD

详细参数

型号：
MMBT2484_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT2484_Q供应商更新时间2025-5-26 9:50:00

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