选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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onsemiSC-74 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiSC-74,SOT-457 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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onsemiPMDTM |
21000 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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MMBT2132T3G图片
MMBT2132T3G中文资料Alldatasheet PDF
更多MMBT2132T3G功能描述:两极晶体管 - BJT 700mA NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MMBT2132T3G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 70mA,700mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 100mA,3V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-74,SOT-457
- 供应商器件封装:
SC-74
- 描述:
TRANS NPN 30V 0.7A SC74