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MMBT2222LT3G	文件：133.91 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：133.91 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2222LT3G	文件：165.55 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：165.55 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2222LT3G	文件：227.33 Kbytes Page：9 Pages	丝印：M1B；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：227.33 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2222LT3G	文件：85.96 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：85.96 Kbytes 页数：6 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
MMBT2222LT3G	文件：132.38 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：132.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2222LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT2222LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3

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