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MMBT2907ADW	文件：576.74 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT2907ADW	文件：1.01966 Mbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(PNP)	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
MMBT2907ADW	文件：957.58 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGTRANSISTORSDUALGENERALPURPOSETRANSISTOR DESCRIPTION The MBT2907ADisavailableinSC88package FEATURES RoHScompliance AvailableinSC88package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MMBT2907AE	文件：202.12 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION PNPEpitaxialplanartypeSiliconTransistor FEATURES ComplementaryNPNTypeavailable(MMBT2222AE) APPLICATION generalpurposeamplifier,switching. Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM, DVD-ROM,NotebookPC,etc.)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT2907AG	文件：1.44249 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT2907A-G	文件：137.89 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS Features -Epitaxialplanardieconstruction -Deviceisdesignedasageneralpurpose amplifierandswitching. -Usefuldynamicrangeexceedsto600mA Asaswitchandto100MHzasanamplifier.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT2907AGH	文件：59.99 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Halogen-freetype Leadfreeproduct	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT2907AK	文件：58.19 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor VCBOCollector-BaseVoltage-60V VCEOCollector-EmitterVoltage-60V VEBOEmitter-BaseVoltage-5V ICCollectorCurrent-600mA PCCollectorPowerDissipation350mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2907AL	文件：86.25 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2907AL	文件：122.28 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT2907A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT2907A_Q供应商更新时间2025-5-27 16:57:00

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