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MMBT2907ARFG	文件：316.99 Kbytes Page：3 Pages	350mW, PNP Small Signal Transistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondat	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT2907AT	文件：54.32 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●BVCEO>-60V ●IC=-600mACollectorCurrent ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ComplementaryNPNType:MMBT2222AT ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2907AT	文件：101.35 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2907AT	文件：353.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2907AT	文件：99.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●Capableof150mWattsofPowerDissipation ●OperatingandStorageJunctionTemperatures-55°Cto150°C ●CollectorCurrent:-0.6A ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2907AT	文件：187.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT2222AT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2907AT	文件：213.91 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2907AT	文件：161.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT2222AT). ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2907AT	文件：442.41 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT2222AT	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT2907AT	文件：106.3 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
MMBT2907ARFG
制造商：
TSC
制造商全称：
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
功能描述：
350mW, PNP Small Signal Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT2907ARFG供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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