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MMBD352W

Schottky Barrier Diode

文件:146.8 Kbytes 页数:3 Pages

BILIN

银河微电

MMBD352W

Schottky Barrier Diode

文件:157.75 Kbytes 页数:3 Pages

BILIN

银河微电

MMBD352W

Schottky Barrier Diode

文件:208.21 Kbytes 页数:3 Pages

DSK

MMBD352W_17

Schottky Barrier Diode

文件:157.75 Kbytes 页数:3 Pages

BILIN

银河微电

MMBD352WT1

Dual Schottky Barrier Diode

文件:43.18 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD352WT1_05

Dual Schottky Barrier Diode

文件:43.18 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD352WT1G

Dual Schottky Barrier Diode

文件:43.18 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBD352LT1

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

Dual Hot Carrier Mixer DiodesThese devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits.\n\n• Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts\n• Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF= 10 mA

恩XP

恩XP

MMBD352WT1

Dual Schottky Barrier Diode

These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits.• Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts\n• Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA

LRC

乐山无线电

MMBD352LT1

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • VRRM_Max_(V):

    7

  • VF_Max_(V):

    0.6

  • @ IF (A):

    0.01

  • IR_Max_(uA):

    10

  • @VR (V):

    7

  • Pin:

    F6

  • Package_Outlines:

    SOT-23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
5000
公司存货
询价
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
ON/安森美
24+
TSSOP
10000
原装进口只做订货 寻找优势渠道合作
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON(安森美)
25+
标准封装
8800
公司只做原装,详情请咨询
询价
ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单
询价
ON(安森美)
2511
标准封装
8000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
询价
ON(安森美)
26+
NA
60000
只有原装 可配单
询价
ON
24+/25+
2308
原装正品现货库存价优
询价
更多MMBD352供应商 更新时间2026-1-17 16:01:00