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MMBD352LT1	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：41.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352LT1	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits. • Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts • Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ I F = 10 mA 文件：45.93 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBD352LT1	文件：60.78 Kbytes Page：4 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits. • Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts • Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF= 10 mA 文件：60.78 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBD352LT1	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer DiodesThese devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits.\n\n• Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts\n• Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF= 10 mA	恩XP 恩智浦	恩XP
MMBD352LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P 文件：127.59 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352LT1_06	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352LT1G	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：93.76 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352LT1G	文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes 文件：122.87 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBD352LT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
描述：
DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23

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