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MJD32	文件：49.27 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications • Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C 文件：49.27 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MJD32	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Lead Formed Versi 文件：129.229 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD32	文件：47.86 Kbytes Page：2 Pages	Complementary Power Transistors Features ● Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves ● Pb-Free Packages are Available 文件：47.86 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MJD32	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD32	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：135.34 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD32C	文件：230.35 Kbytes Page：11 Pages	丝印：MJD32C；Package：DPAK；100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor 1. General description PNP high power bipolar transistor in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: MJD31C 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • High energy efficiency due to less heat generation • Elect 文件：230.35 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
MJD32CA	文件：230.55 Kbytes Page：11 Pages	丝印：MJD32CA；Package：DPAK；100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor 1. General description PNP high power bipolar transistor in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: MJD31CA 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • High energy efficiency due to less heat generation • Elec 文件：230.55 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
MJD32CUQ-13	文件：384.05 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MJD32CU；Package：TO-252；100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -100V • IC = -3A High Continuous Collector Current • ICM = -5A Peak Pulse Current • Ideal for Power Switching or Amplification Applications • Comp 文件：384.05 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32C-13	文件：373.13 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MJD32C；Package：TO-252；100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：373.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ-13	文件：433.13 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MJD32C；Package：TO-252；100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：433.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.2
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.8
hFE Min：
10
hFE Max：
50
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

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深圳市一线半导体有限公司	MJD32	MOTOR	24+		860		询价
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更多MJD32供应商更新时间2025-12-11 10:02:00

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