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MJD32B

文件：65.36 Kbytes

Page：5 Pages

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD31BandMJD31CandtheMJD32BandMJD32CformcomplementaryNPN-PNPpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK)POWERPACKAGEINTAPE&REEL(SUFFIX

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意法半导体意法半导体集团

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详细参数

型号：
MJD32B
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MJD32B供应商更新时间2025-5-19 16:20:00

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