L,S BAND POWER GaAs FET

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MITSUBISHI

三菱电机

High-power GaAs FET (small signal gain stage)

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L,S BAND POWER GaAs FET

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High-power GaAs FET (small signal gain stage)

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High-power GaAs FET (small signal gain stage) L & S BAND / 0.6W

DESCRIPTION\nThe MGF0904A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers.FEATURES\n• High output power\n   Po=28.0dBm(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=15dBm\n• High power gain\n   Gp=13.0dB(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=15dBm\n• High power added efficiency\n   P.A.E =40%(TYP.) • High output power\n   Po=28.0dBm(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=15dBm\n• High power gain\n   Gp=13.0dB(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=15dBm\n• High power added efficiency\n   P.A.E =40%(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=15dBmAPPLICATION\n• For UHF Band power amplifiers ;

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