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MDFR150A-M	文件：99.23 Kbytes Page：2 Pages	DIODE MODULE竊뉶.R.D.竊 DIODEMODULE（F.R.D.） MDF(R)150A-L/MandMDR150-L/Marehighspeed（fastrecovery）diodewithflatmountingbasewhichisdesignedforswitchingapplicationofhighpower. ●IF（AV）=150AVRRM=200/300/400V ●EasyConstructionwithAnode（F）TypeandCathode（R）Type ●ReverseRecoveryTime（trr）LTy	SANREX Sansha Electric Mfg. Co. Ltd.	SANREX
MDFR250A-L	文件：94.46 Kbytes Page：2 Pages	DIODE MODULE竊뉶.R.D.竊 DIODEMODULE（F.R.D.） MDF(R)250A-L/MandMDR150-L/Marehighspeed（fastrecovery）diodewithflatmountingbasewhichisdesignedforswitchingapplicationofhighpower. ●IF（AV）250AVRRM=200/300/400V ●EasyConstructionwithAnode（F）TypeandCathode（R）Type MDF:anodetoterminal（normal	SANREX Sansha Electric Mfg. Co. Ltd.	SANREX
MDFR250A-M	文件：94.46 Kbytes Page：2 Pages	DIODE MODULE竊뉶.R.D.竊 DIODEMODULE（F.R.D.） MDF(R)250A-L/MandMDR150-L/Marehighspeed（fastrecovery）diodewithflatmountingbasewhichisdesignedforswitchingapplicationofhighpower. ●IF（AV）250AVRRM=200/300/400V ●EasyConstructionwithAnode（F）TypeandCathode（R）Type MDF:anodetoterminal（normal	SANREX Sansha Electric Mfg. Co. Ltd.	SANREX
MDFS10N60DTH	文件：322.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDFS11N60TH	文件：322.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDFS11N65BTH	文件：322.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDFS13N50GTH	文件：322.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF005	文件：42.58 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT BRIDGE	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
MDF01	文件：42.58 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT BRIDGE	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
MDF02	文件：42.58 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT BRIDGE	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC

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技术参数

本司归类：
STANDARD
正向额定电流(Amp)：
0.8
正向压降(Volt)：
1.2
逆向耐压(Volt)：
50
逆向漏电(uAmp)：
10
耐正向电流浪涌能力(Amp)：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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