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MDF9N60TH	文件：323.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDFB51	文件：69.87 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diode FEATURES ●Doublesidecooling ●Highsurgecapability ●Lowrecoverycharge APPLICATIONS ●FreewheelDiode ●D.C.MotorDrives ●Welding ●HighFrequencyRectification ●PowerSupplies	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
MDFB5120	文件：69.87 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diode FEATURES ●Doublesidecooling ●Highsurgecapability ●Lowrecoverycharge APPLICATIONS ●FreewheelDiode ●D.C.MotorDrives ●Welding ●HighFrequencyRectification ●PowerSupplies	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
MDFB5122	文件：69.87 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diode FEATURES ●Doublesidecooling ●Highsurgecapability ●Lowrecoverycharge APPLICATIONS ●FreewheelDiode ●D.C.MotorDrives ●Welding ●HighFrequencyRectification ●PowerSupplies	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
MDFB5124	文件：69.87 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diode FEATURES ●Doublesidecooling ●Highsurgecapability ●Lowrecoverycharge APPLICATIONS ●FreewheelDiode ●D.C.MotorDrives ●Welding ●HighFrequencyRectification ●PowerSupplies	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
MDFB5125	文件：69.87 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diode FEATURES ●Doublesidecooling ●Highsurgecapability ●Lowrecoverycharge APPLICATIONS ●FreewheelDiode ●D.C.MotorDrives ●Welding ●HighFrequencyRectification ●PowerSupplies	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
MDFB85	文件：70.5 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diode KEYPARAMETERS VRRM4500V IF(AV)2130A IFSM20000A Qr2200µC trr6.0µs FEATURES ■Doublesidecooling ■Highsurgecapability ■Lowrecoverycharge APPLICATIONS ■FreewheelDiode ■D.C.MotorDrives ■Welding ■HighFreq	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
MDFB8545	文件：70.5 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diode KEYPARAMETERS VRRM4500V IF(AV)2130A IFSM20000A Qr2200µC trr6.0µs FEATURES ■Doublesidecooling ■Highsurgecapability ■Lowrecoverycharge APPLICATIONS ■FreewheelDiode ■D.C.MotorDrives ■Welding ■HighFreq	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
MDFN2C051V	文件：1.81497 Mbytes Page：4 Pages	丝印：B2；Package：DFN1006；1-Line Bi-directional TVS Diode Features Ultrasmallpackage:1.0x0.6x0.5mm Ultralowcapacitance:15pFtypicalUltralowleakage:nAlevel Lowoperatingvoltage:5V Lowclampingvoltage 2-pinleadlesspackage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MDFR150A-L	文件：99.23 Kbytes Page：2 Pages	DIODE MODULE竊뉶.R.D.竊 DIODEMODULE（F.R.D.） MDF(R)150A-L/MandMDR150-L/Marehighspeed（fastrecovery）diodewithflatmountingbasewhichisdesignedforswitchingapplicationofhighpower. ●IF（AV）=150AVRRM=200/300/400V ●EasyConstructionwithAnode（F）TypeandCathode（R）Type ●ReverseRecoveryTime（trr）LTy	SANREX Sansha Electric Mfg. Co. Ltd.	SANREX

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技术参数

本司归类：
STANDARD
正向额定电流(Amp)：
0.8
正向压降(Volt)：
1.2
逆向耐压(Volt)：
50
逆向漏电(uAmp)：
10
耐正向电流浪涌能力(Amp)：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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