LM2105 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 5-V UVLO and Integrated Bootstrap Diode

1 Features • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration • Integrated bootstrap diode • 5-V typical undervoltage lockout on GVDD • 107-V absolute maximum voltage on BST • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH • 0.5-A/0.8-A peak source/sink current

文件：2.26393 Mbytes 页数：32 Pages

TI

德州仪器

丝印：L105；Package：WSON；LM2105 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 5-V UVLO and Integrated Bootstrap Diode

1 Features • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration • Integrated bootstrap diode • 5-V typical undervoltage lockout on GVDD • 107-V absolute maximum voltage on BST • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH • 0.5-A/0.8-A peak source/sink current

文件：2.26393 Mbytes 页数：32 Pages

TI

德州仪器

Low Profile Miniature Single Phase Surface Mount Bridge Rectifiers Reverse Voltage 1000V Output Current 2.0A

文件：220.84 Kbytes 页数：4 Pages

Good-Ark

固锝电子

丝印：TS2；Package：SOT-323；N-ChannelEnhancement Mode Field Effect Transistor

文件：1.16906 Mbytes 页数：5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

Voltage Follower

文件：348.91 Kbytes 页数：16 Pages

NSC

国半

Voltage Follower

文件：348.91 Kbytes 页数：16 Pages

NSC

国半

丝印：LM2105；Package：SOIC；LM2105 105-V, 0.5-A/0.8-A Half-Bridge Driver with 5-V UVLO and Integrated Bootstrap Diode

1 Features • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration • Integrated bootstrap diode • 5-V typical undervoltage lockout on GVDD • 105-V maximum recommended voltage on BST • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH • 0.5-A/0.8-A peak source/sink curr

文件：1.38329 Mbytes 页数：25 Pages

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德州仪器

丝印：LM2105；Package：WSON；LM2105 105-V, 0.5-A/0.8-A Half-Bridge Driver with 5-V UVLO and Integrated Bootstrap Diode

1 Features • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration • Integrated bootstrap diode • 5-V typical undervoltage lockout on GVDD • 105-V maximum recommended voltage on BST • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH • 0.5-A/0.8-A peak source/sink curr

文件：1.38329 Mbytes 页数：25 Pages

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德州仪器

具有 8V UVLO、死区时间和反相输入引脚的 107V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器。

LM2103 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 INL 反相输入允许在双路或单路 PWM 输入应用中使用驱动器。\n\nSH 引脚具有 固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力，可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2103 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能，以在上电和断电期间提供保护。 • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET\n• BST 上的最大绝对电压为 107V\n• 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流\n• 内置跨导保护\n• 反相输入引脚 INL;

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具有 8V UVLO、死区时间和关断功能的 107V、0.5A/0.8A、半桥栅极驱动器

LM2104 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 IN 引脚使得该器件可用于单 PWM 输入应用，而 SD 引脚则允许控制器在 SD 引脚为低电平时关闭驱动器输出以将其禁用，而不受 IN 引脚状态的影响。\n\nSH 引脚具有 固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力，可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2104 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能，以在上电和断电期间提供保护。 • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET\n• BST 上的最大绝对电压为 107V\n• 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流\n• 内置跨导保护\n• 关断逻辑输入引脚 SD\n• 单输入引脚 IN;

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德州仪器