LM2103数据手册TI中文资料规格书
LM2103规格书详情
描述 Description
LM2103 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 INL 反相输入允许在双路或单路 PWM 输入应用中使用驱动器。
SH 引脚具有 固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力，可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2103 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能，以在上电和断电期间提供保护。
特性 Features
• 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
• 8-V GVDD 上的典型欠压锁定
• BST 上的最大绝对电压为 107V
• SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
• 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
• 典型固定内部死区时间为 475ns
• 内置跨导保护
• 115ns 典型传播延迟
• 反相输入引脚 INL
技术参数
- 制造商编号
：LM2103
- 生产厂家
：TI
- Power switch
：IGBT
- Input VCC (min) (V)
：9
- Input VCC (max) (V)
：18
- Peak output current (A)
：0.65
- Operating temperature range (°C)
：-40 to 125
- Undervoltage lockout (typ) (V)
：8
- Rating
：Catalog
- Fall time (ns)
：18
- Iq (mA)
：0.0333
- Input threshold
：CMOS
- Channel input logic
：Inverting
- Negative voltage handling at HS pin (V)
：-1
- Features
：Dead time control
- Driver configuration
：Single input
- 封装
：SOIC (D)
- 引脚
：8
- 尺寸
：29.4 mm² 4.9 x 6
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