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L6385D	文件：147.76 Kbytes Page：9 Pages	HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER DESCRIPTION TheL6385isanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheUpper(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputsareCM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6385D	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6385D013TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BD6385EFV	文件：301.41 Kbytes Page：6 Pages	Bipolarsteppingmotordriver	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BD6385EFV	文件：149.62 Kbytes Page：5 Pages	Siliconmonolithicintegratedcircuits	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
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BD6385EFV-LB	文件：576.14 Kbytes Page：12 Pages	HighPerformance,HighReliability36VSteppingMotorDriver	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
EPE6385G	文件：37.3 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilter	PCA PCA Electronics, Inc.
HBLVP6385	文件：891.36 Kbytes Page：12 Pages	ManualMotorControllersandDisconnects	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
HM6385	文件：1.25751 Mbytes Page：8 Pages	SynchronousboostDC-DCconverter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
L6385	文件：147.76 Kbytes Page：9 Pages	HIGH-VOLTAGEHIGHANDLOWSIDEDRIVER DESCRIPTION TheL6385isanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheUpper(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputsareCM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6385E	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltagehighandlowsidedriver Description TheL6385Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasanHalf-BridgeDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.Th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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L6385ED	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltagehighandlowsidedriver Description TheL6385Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasanHalf-BridgeDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.Th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6385ED	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltagehighandlowsidedriver Description TheL6385Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasanHalf-BridgeDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.Th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MAX6385	文件：231.58 Kbytes Page：13 Pages	SC70/關DFN,Single/DualLow-Voltage,Low-Power關PResetCircuits	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX6385	文件：195.38 Kbytes Page：11 Pages	SC70,Single/DualLow-Voltage,Low-Power關PResetCircuits GeneralDescription TheMAX6381–MAX6390microprocessor(µP)supervisorycircuitsmonitorpower-supplyvoltagesfrom+1.8Vto+5.0Vwhileconsumingonly3µAofsupplycurrentat+1.8V.WheneverVCCfallsbelowthefactory-setresetthresholds,theresetoutputassertsandremainsassertedfora	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX6385LT	文件：231.58 Kbytes Page：13 Pages	SC70/關DFN,Single/DualLow-Voltage,Low-Power關PResetCircuits	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX6385LT__D_+T	文件：327.97 Kbytes Page：10 Pages	SC70/μDFN,Single/DualLow-Voltage,Low-PowerμPResetCircuits GeneralDescription TheMAX6381–MAX6390microprocessor(µP)supervisorycircuitsmonitorpower-supplyvoltagesfrom+1.8Vto+5.0Vwhileconsumingonly3µAofsupplycurrentat+1.8V.WheneverVCCfallsbelowthefactory-setresetthresholds,theresetoutputassertsandremainsassertedfora	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX6385XS	文件：231.58 Kbytes Page：13 Pages	SC70/關DFN,Single/DualLow-Voltage,Low-Power關PResetCircuits	MaximMaximIntegrated 美信半导体

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产品属性

产品编号：
L6385D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
17V（最大）
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.5V，3.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
400mA，650mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
50ns，30ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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