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L6385D	文件：147.76 Kbytes Page：9 Pages	HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER DESCRIPTION TheL6385isanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheUpper(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputsareCM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6385D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6385D013TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6385E	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltagehighandlowsidedriver Description TheL6385Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasanHalf-BridgeDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.Th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6385E	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltagehighandlowsidedriver Description TheL6385Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasanHalf-BridgeDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.Th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6385ED	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltagehighandlowsidedriver Description TheL6385Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasanHalf-BridgeDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.Th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6385ED	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltagehighandlowsidedriver Description TheL6385Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasanHalf-BridgeDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.Th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MAX6385	文件：195.38 Kbytes Page：11 Pages	SC70,Single/DualLow-Voltage,Low-Power關PResetCircuits GeneralDescription TheMAX6381–MAX6390microprocessor(µP)supervisorycircuitsmonitorpower-supplyvoltagesfrom+1.8Vto+5.0Vwhileconsumingonly3µAofsupplycurrentat+1.8V.WheneverVCCfallsbelowthefactory-setresetthresholds,theresetoutputassertsandremainsassertedfora	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6385	文件：231.58 Kbytes Page：13 Pages	SC70/關DFN,Single/DualLow-Voltage,Low-Power關PResetCircuits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6385LT	文件：231.58 Kbytes Page：13 Pages	SC70/關DFN,Single/DualLow-Voltage,Low-Power關PResetCircuits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

产品属性

产品编号：
L6385D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
17V（最大）
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.5V，3.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
400mA，650mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
50ns，30ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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