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L6386	文件：80.04 Kbytes Page：10 Pages	HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER DESCRIPTION TheL6386isanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCD”OFF-LINE”technology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedChannelPowerMOSorIGBT.TheUpper(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputsareCM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：14-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386AD	文件：208.31 Kbytes Page：17 Pages	High-voltage high and low side driver Description TheL6386ADisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasadriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedChannelPowerMOSorIGBT.Thehigh-side(floating)sectionisenabledtoworkwithvoltagerailupto600V.TheLogicInputs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386AD013TR	文件：208.31 Kbytes Page：17 Pages	High-voltage high and low side driver Description TheL6386ADisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasadriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedChannelPowerMOSorIGBT.Thehigh-side(floating)sectionisenabledtoworkwithvoltagerailupto600V.TheLogicInputs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386D	文件：80.04 Kbytes Page：10 Pages	HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER DESCRIPTION TheL6386isanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCD”OFF-LINE”technology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedChannelPowerMOSorIGBT.TheUpper(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputsareCM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386E	文件：217.74 Kbytes Page：18 Pages	High-voltage high and low side driver Description TheL6386Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputsa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386ED	文件：217.74 Kbytes Page：18 Pages	High-voltage high and low side driver Description TheL6386Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputsa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386ED013TR	文件：217.74 Kbytes Page：18 Pages	High-voltage high and low side driver Description TheL6386Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedChannelPowerMOSorIGBT.TheHighSide(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputsa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386AD	文件：293.14 Kbytes Page：15 Pages	High voltage high and low-side driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386AD013TR	文件：293.14 Kbytes Page：15 Pages	High voltage high and low-side driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386ADTR	文件：293.14 Kbytes Page：15 Pages	High voltage high and low-side driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386ADTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6386D	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
6386	文件：73.84 Kbytes Page：1 Pages	CUSTOMERPRODUCTSPECIFICATION	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
AU6386	文件：415.6 Kbytes Page：19 Pages	USB2.0FlashDiskController [AlcorMicroCorp.] Description AU6386isahighlyintegratedsinglechipforUSB2.0flashdiskcontroller.ItcanbeusedasaremovablestoragediskinenormousdataexchangeapplicationbetweenUSBenabledPCandNANDtypeflashmemory.NotonlyitcanbeusedasaremovablestoragediskinW	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BA6386	文件：214.35 Kbytes Page：13 Pages	PreservoamplifierforCDplayers TheBA6386KisapreservoamplifierforCDplayers.ByusingthispairedwithaROHMDSP,aservoandmainsignalsystemcanbeconfiguredwithfewexternalcomponentsandlowpowerconsumption. Features 1)InternalRFAGCcircuits. 2)InternalAPCcircuit. 3)Internalautoasymmetrycircuit.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BA6386K	文件：214.35 Kbytes Page：13 Pages	PreservoamplifierforCDplayers TheBA6386KisapreservoamplifierforCDplayers.ByusingthispairedwithaROHMDSP,aservoandmainsignalsystemcanbeconfiguredwithfewexternalcomponentsandlowpowerconsumption. Features 1)InternalRFAGCcircuits. 2)InternalAPCcircuit. 3)Internalautoasymmetrycircuit.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
C6386	文件：120.04 Kbytes Page：2 Pages	Photosensoramplifier Current-to-voltageconversionamplifierforamplifyingweakphotocurrentwithlownoise C2719isacurrent-to-voltageconversionamplifierusedtoamplifyweakphotocurrentfromaphotodiodewithverylownoise.Threerangesofphotocurrentdetectionsensitivitylevel(H,M,L)areselectable	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社
EPE6386G	文件：142.12 Kbytes Page：1 Pages	10Base-TInterfaceModule	PCA PCA Electronics, Inc.
MAX6386	文件：231.58 Kbytes Page：13 Pages	SC70/關DFN,Single/DualLow-Voltage,Low-Power關PResetCircuits	MaximMaximIntegrated 美信半导体

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产品属性

产品编号：
L6386
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
17V（最大）
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.5V，3.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
400mA，650mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
50ns，30ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
14-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
14-DIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

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