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L6390D

High-voltage high and low side driver

Description The L6390 is a high-voltage device manufactured with the BCD OFF-LINE technology. It is a monolithic half-bridge gate driver for N-channel Power MOSFET or IGBT. The high side (floating) section is designed to stand a voltage rail up to 600 V. The logic inputs are CMOS/TTL compati

文件:473.69 Kbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6390D013TR

High-voltage high and low side driver

Description The L6390 is a high-voltage device manufactured with the BCD OFF-LINE technology. It is a monolithic half-bridge gate driver for N-channel Power MOSFET or IGBT. The high side (floating) section is designed to stand a voltage rail up to 600 V. The logic inputs are CMOS/TTL compati

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6390D

Package:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO

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意法半导体

L6390DTR

Package:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO

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意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    L6390D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    12.5V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.1V,1.9V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    290mA,430mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    75ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO

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更多L6390D供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00