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L6392D

High-voltage high and low side driver

Description The L6392 is a high-voltage device manufactured with the BCD “OFF-LINE” technology. It is a single chip half-bridge gate driver for N-channel Power MOSFET or IGBT. Features ■ High voltage rail up to 600 V ■ dV/dt immunity ± 50 V/nsec in full temperature range ■ Driver

文件:439 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6392D013TR

High-voltage high and low side driver

Description The L6392 is a high-voltage device manufactured with the BCD “OFF-LINE” technology. It is a single chip half-bridge gate driver for N-channel Power MOSFET or IGBT. Features ■ High voltage rail up to 600 V ■ dV/dt immunity ± 50 V/nsec in full temperature range ■ Driver

文件:439 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6392D

Package:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6392DTR

Package:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    L6392D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    12.5V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.1V,1.9V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    290mA,430mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    75ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    14-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多L6392D供应商 更新时间2025-10-7 14:14:00