| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
留言
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STMICROELECTRONICSN/A |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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10年
留言
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ST/意法SOP-8 |
98900 |
25+ |
原厂原装正品现货!! |
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STN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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ST/意法半导体SOP-8 |
7323 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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3年
留言
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ST/意法SOP8 |
10000 |
24+ |
只有原装 |
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7年
留言
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ST(意法)SO-8 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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ST(意法)SO-8 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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ST/意法SOP8 |
46780 |
26+ |
全新原装现货,假一赔十,支持检测 |
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13年
留言
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STSOP-8 |
8000 |
21+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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5年
留言
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ST/意法SOP8 |
23 |
09+ |
原装正品 可含税交易 |
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6年
留言
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ST(意法半导体)N/A |
11580 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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1年
留言
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STsop8 |
5521 |
22+ |
现货热卖中 |
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6年
留言
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50ST/意法 |
17 |
P8 |
92 |
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16年
留言
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ST8-DIP |
65600 |
23+ |
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6年
留言
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ST(意法)8-DIP(0.300 |
500000 |
25+ |
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5年
留言
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STSMD |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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5年
留言
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ST8DIP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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STMicroelectronics8-DIP |
65200 |
24+ |
一级代理/放心采购 |
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7年
留言
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STMICROELECTRONICSN/A |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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STDIP-8 |
1406 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
L6385E采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
L6385E图片
L6385ED013TR价格
L6385ED013TR价格:¥4.7449品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的L6385ED013TR多少钱,想知道L6385ED013TR价格是多少?参考价:¥4.7449。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,L6385ED013TR批发价格及采购报价,L6385ED013TR销售排行榜及行情走势,L6385ED013TR报价。
L6385E中文资料Alldatasheet PDF
更多L6385E功能描述:功率驱动器IC HV H-Bridge driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
L6385ED功能描述:功率驱动器IC HV H-Bridge driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
L6385ED013TR功能描述:功率驱动器IC HV H-Bridge driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
L6385E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
17V(最大)
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.5V,3.6V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
400mA,650mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
50ns,30ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:
8-DIP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP































