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L6385ED013TR	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltage high and low side driver Description The L6385E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. Th 文件：199.99 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6385ED013TR	文件：199.99 Kbytes Page：16 Pages	High-voltage high and low side driver Description The L6385E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. Th 文件：199.99 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6385ED013TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6385ED013TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ST/意法上传：深圳市俊晖半导体有限公司	ST/意法
L6388ED013TR	文件：0 bytes Page：0 Pages		ST(意法半导体) 上传：深圳市利芯伟业科技有限公司	ST(意法半导体)

产品属性

产品编号：
L6385ED013TR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
17V（最大）
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.5V，3.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
400mA，650mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
50ns，30ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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