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L6393D	文件：462.01 Kbytes Page：20 Pages	Half-bridge gate driver Description TheL6393isahigh-voltagedevicemanufacturedwiththeBCD“OFF-LINE”technology.Itisasinglechiphalf-bridgegatedriverforN-channelpowerMOSFETorIGBT. Features ■Highvoltagerailupto600V ■dV/dtimmunity±50V/nsecinfulltemperaturerange ■Driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6393D	文件：390.92 Kbytes Page：19 Pages	Half-bridge gate driver Description TheL6393isahigh-voltagedevicemanufacturedwiththeBCD“OFF-LINE”technology.Itisasinglechiphalf-bridgegatedriverforN-channelpowerMOSFETorIGBT. Features ■Highvoltagerailupto600V ■dV/dtimmunity±50V/nsecinfulltemperaturerange ■Driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6393D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6393D013TR	文件：462.01 Kbytes Page：20 Pages	Half-bridge gate driver Description TheL6393isahigh-voltagedevicemanufacturedwiththeBCD“OFF-LINE”technology.Itisasinglechiphalf-bridgegatedriverforN-channelpowerMOSFETorIGBT. Features ■Highvoltagerailupto600V ■dV/dtimmunity±50V/nsecinfulltemperaturerange ■Driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6393DTR	文件：390.92 Kbytes Page：19 Pages	Half-bridge gate driver Description TheL6393isahigh-voltagedevicemanufacturedwiththeBCD“OFF-LINE”technology.Itisasinglechiphalf-bridgegatedriverforN-channelpowerMOSFETorIGBT. Features ■Highvoltagerailupto600V ■dV/dtimmunity±50V/nsecinfulltemperaturerange ■Driver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6393DTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
L6393D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.1V，1.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，430mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
75ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SO
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

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