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L6387ED013TR	文件：207.3 Kbytes Page：15 Pages	High-voltage high and low side driver Description TheL6387Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.Thehighside(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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L6387ED013TR

文件：207.3 Kbytes

Page：15 Pages

High-voltage high and low side driver

Description TheL6387Eisanhigh-voltagedevice,manufacturedwiththeBCDOFF-LINEtechnology.IthasaDriverstructurethatenablestodriveindependentreferencedNChannelPowerMOSorIGBT.Thehighside(Floating)SectionisenabledtoworkwithvoltageRailupto600V.TheLogicInputs

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

L6387ED013TR

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
L6387ED013TR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
17V（最大）
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.5V，3.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
400mA，650mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
50ns，30ns
工作温度：
-45°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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更多L6387ED013TR供应商更新时间2024-4-26 20:23:00

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