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|---|---|---|---|---|
L6387ED013TR | High-voltage high and low side driver Description The L6387E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has a Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The high side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs 文件:207.3 Kbytes 页数:15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
L6387ED013TR | Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
SOP | ST 上传:深圳市盈慧通电子有限公司 | ST | ||
SOP8 | ST/意法 上传:深圳市明嘉莱科技有限公司 | ST/意法 | ||
ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
产品属性
- 产品编号:
L6387ED013TR
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
17V(最大)
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.5V,3.6V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
400mA,650mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
50ns,30ns
- 工作温度:
-45°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
SOP8 |
12496 |
ST/意法原装正品L6387ED013TR即刻询购立享优惠#长期有货 |
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STM |
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ST(意法半导体) |
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ST |
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SOP-8 |
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