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IKW75N60T	文件：411.47 Kbytes Page：13 Pages	丝印：K75T60；Package：PG-TO-247-3；Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：411.47 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW75N65ET7	文件：1.86887 Mbytes Page：17 Pages	丝印：K75EET7；Package：PG-TO247-3；TRENCHSTOPTM IGBT 7 Low Loss Duopack: IGBT with Trench and Fieldstop technology 文件：1.86887 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW75N65RH5	文件：1.57237 Mbytes Page：15 Pages	丝印：K75ERH5；Package：PG-TO247-3；TRENCHSTOPTM 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode 文件：1.57237 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW75N65SS5	文件：1.57675 Mbytes Page：15 Pages	丝印：K75ESS5；Package：PG-TO247-3；TRENCHSTOPTM 5 S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode 文件：1.57675 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKY75N120CH3	文件：2.04734 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K75MCH3；Package：PG-TO247-4-2；Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode 文件：2.04734 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKY75N120CS6	文件：2.0296 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K75MCS6；Package：PG-TO247-4-2；High speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode 文件：2.0296 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZ75N65ES5	文件：1.84647 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K75EES5；Package：PG-TO247-4；TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode 文件：1.84647 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZA75N65RH5	文件：1.51817 Mbytes Page：15 Pages	丝印：K75ERH5；Package：PG-TO247-4-3；TRENCHSTOPTM 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode 文件：1.51817 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZA75N65SS5	文件：1.53253 Mbytes Page：15 Pages	丝印：K75ESS5；Package：PG-TO247-4-3；TRENCHSTOPTM 5 S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode 文件：1.53253 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
K75T60	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode● Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)\n● Maximum Junction Temperature 175°C\n● Short circuit withstand time 5s\n● Positive temperature coefficient in VCE(sat)\n● very tight pa	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Configuration：
Dual
Power Rating (µW)：
200 mW
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
70 V
Forward Continuous Current IFM (mA)：
70 mA
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.41
@ IF (A)：
1 mA
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.1 µA
@ VR (V)：
50 V
Capacitance CTOT Typ (pF)：
2 pF
Packages：
SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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