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IKW75N65SS5分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IKW75N65SS5 |
| 参数属性 | IKW75N65SS5 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：INDUSTRY 14 |
| 功能描述 | TRENCHSTOPTM 5 S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode |
| 文件大小 |
1.57675 Mbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-9 22:59:00 |
IKW75N65SS5规格书详情
IKW75N65SS5属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IKW75N65SS5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IKW75N65SS5XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop™ 5
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，75A
- 开关能量：
450µJ（开），750µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/145ns
- 测试条件：
400V，75A，5.6 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3
- 描述：
INDUSTRY 14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO247 |
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INFINEO |
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