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IKZA75N65RH5分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKZA75N65RH5
厂商型号

IKZA75N65RH5

参数属性

IKZA75N65RH5 封装/外壳为TO-247-4;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:INDUSTRY 14

功能描述

TRENCHSTOPTM 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode
INDUSTRY 14

丝印标识

K75ERH5

封装外壳

PG-TO247-4-3 / TO-247-4

文件大小

1.51817 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 14:30:00

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IKZA75N65RH5规格书详情

IKZA75N65RH5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKZA75N65RH5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IKZA75N65RH5XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop™ 5

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    310µJ(开),300µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/180ns

  • 测试条件:

    400V,37.5A,9 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-4

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-4-3

  • 描述:

    INDUSTRY 14

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