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IKZ50N65ES5分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IKZ50N65ES5 |
| 参数属性 | IKZ50N65ES5 封装/外壳为TO-247-4；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4 |
| 功能描述 | TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO247-4 / TO-247-4 |
| 文件大小 |
1.84827 Mbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-23 23:01:00 |
| 人工找货 | IKZ50N65ES5价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IKZ50N65ES5规格书详情
IKZ50N65ES5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKZ50N65ES5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IKZ50N65ES5XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop™ 5
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，50A
- 开关能量：
770µJ（开），880µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
36ns/294ns
- 测试条件：
400V，25A，23.1 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-4
- 供应商器件封装：
PG-TO247-4
- 描述：
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-247-4 |
1076 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-4 |
25000 |
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Infineon technologies |
23+ |
TO-247-4 |
42 |
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Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TO247-4 |
9600 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-4 |
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Infineon Technologies |
25+ |
TO-247-4 |
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Infineon technologies |
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INFINEON |
25+ |
N/A |
10000 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-TO247-4 |
8000 |
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