首页>IKW75N65ET7>规格书详情

IKW75N65ET7分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKW75N65ET7
厂商型号

IKW75N65ET7

参数属性

IKW75N65ET7 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IKW75N65ET7XKSA1

功能描述

TRENCHSTOPTM IGBT 7 Low Loss Duopack: IGBT with Trench and Fieldstop technology
IKW75N65ET7XKSA1

文件大小

1.86887 Mbytes

页面数量

17

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-6-10 10:00:00

IKW75N65ET7规格书详情

IKW75N65ET7属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IKW75N65ET7晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IKW75N65ET7XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.65V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    2.17mJ(开),1.23mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    28ns/310ns

  • 测试条件:

    400V,75A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IKW75N65ET7XKSA1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON TECHNOLOGIES AG
2118+
原厂封装
6800
公司现货全新原装假一罚十特价
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
INFINEON/英飞凌
TO-247
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
询价
INFINEON/英飞凌
2021+
45000
十年专营原装现货,假一赔十
询价
23+
N/A
58600
一级代理放心采购
询价
Infineon
新批次
SMD
4326
询价
INFINEON/英飞凌
2022
TO-247
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
询价
infineon
22+
TO-247
32350
原装正品 假一罚十 公司现货
询价
Infineon
22+/23+
PG-TO247-3
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
Infineon Technologies
21+
TO-247-3
5000
INFINEON专卖,进口原装深圳现货
询价