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K75T60	文件：411.41 Kbytes Page：13 Pages	型号：IKW75N60T；Package：PG-TO-247-3-21；Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP™andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode ●VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ●MaximumJunctionTemperature175°C ●Shortcircuitwithstandtime5s ●PositivetemperaturecoefficientinVCE(sat) ●verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
K75T60	文件：411.47 Kbytes Page：13 Pages	型号：IKW75N60T；Package：PG-TO-247-3；Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：IKW75N60T；Package：PG-TO-247-3-21；Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP™andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode ●VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ●MaximumJunctionTemperature175°C ●Shortcircuitwithstandtime5s ●PositivetemperaturecoefficientinVCE(sat) ●verytigh

InfineonInfineon Technologies AG

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型号：IKW75N60T；Package：PG-TO-247-3；Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
K75T60
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 75A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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