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2N7002KQ-13	文件：624.73 Kbytes Page：7 Pages	Marking：K7K；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedUpTo2kV TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) The2N7002KQissuitableforautomotiveapplications requirings	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002KQ-7	文件：624.73 Kbytes Page：7 Pages	Marking：K7K；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedUpTo2kV TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) The2N7002KQissuitableforautomotiveapplications requirings	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN601DWKQ-7	文件：579.57 Kbytes Page：7 Pages	Marking：K7K；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features DualN-ChannelMOSFET LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtected TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimony	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedUpTo2kV TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) The2N7002KQissuitableforautomotiveapplications requirings

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Features DualN-ChannelMOSFET LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtected TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimony

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详细参数

型号：
K7K
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512Kx36 & 1Mx18 DDRII+ CIO b2 SRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K7K供应商更新时间2025-6-23 10:22:00

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