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IKZ75N65ES5	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、75 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装 To further enhance the best-in-class performance of the TRENCHSTOP™ 5 IGBT technology, Infineon offers the technology in a high power package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP™ 5 IGBT to the next lev • Very low control inductance loop\n• Extra emitter pin, the forth package pin, for driver feedback\n• Same creepage distance of collector emitter as standard TO-247 package\n\n优势:\n• Over 20% total switching loses reduction compared to standard TO-247-3\n• System efficiency improvement or power;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZ75N65ES5	文件：1.84647 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K75EES5；Package：PG-TO247-4；TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode 文件：1.84647 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZ75N65ES5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-4；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4	Infineon 英飞凌	Infineon
BIDW75N65ES5	文件：1.29308 Mbytes Page：11 Pages	BIDW75N65ES5 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Features n 650 V, 75 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) n Novel trench-gate field-stop technology n Optimized for conduction n Medium speed switching n Maximum operating Tj = 175 °C n RoHS compliant* Applications n Switch-Mode Power Supplies (SMPS) n Uninterruptible 文件：1.29308 Mbytes 页数：11 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
IKFW75N65ES5	文件：1.52954 Mbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode 文件：1.52954 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW75N65ES5	文件：1.93262 Mbytes Page：16 Pages	5 high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode 文件：1.93262 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
15 kHz
Switching Frequency max：
40 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™ 5
Voltage Class max：
650 V
IC @ 100° max：
80 A
VCE(sat)：
1.42 V
Qualification：
Industrial
Eon：
1.5 mJ
Eoff Hard Switching：
1.3 mJ
IF max：
80 A
Qrr：
1000 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IKZ75N65ES5
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-4
td(on)：
46 ns
tr：
25 ns
td(off)：
405 ns
tf：
22 ns
QGate：
164 nC
IC @ 25° max：
300 A
IFpuls max：
300 A
VF：
1.5 V
Irrm：
36 A
ICpuls max：
300 A
Soft Switching：
no

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技术参数

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