TK4A60DB芯片丝印丝印对应型号-114ic电子网

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TK4A60DB	文件：261.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K4A60DB；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 2.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600V) • Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：261.5 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
K4A60DB	文件：261.5 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6Ω(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 2.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600V) • Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：261.5 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K4A60DB供应商更新时间2025-9-5 20:38:00