| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Marking：K4A60DB；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=2.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
更多K4A60DB供应商
更新时间
