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TK4A60DB	文件：261.5 Kbytes Page：6 Pages	Marking：K4A60DB；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=2.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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文件：261.5 Kbytes

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Marking：K4A60DB；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=2.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	K4A60DB	TOSHIBA	25+	TO-TO-220F	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	K4A60DBK4A60DK4A60DR	TOSHIBA/东芝	23+	TO-220F	8000	只做原装现货	询价

更多K4A60DB供应商更新时间2025-5-17 10:20:00

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