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TK4A80E

丝印:K4A80E;Package:TO-220SIS;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 2.8 Ω (typ.) (2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode : Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.4 mA)

文件:385.61 Kbytes 页数:9 Pages

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更多K4A80E供应商 更新时间2025-9-4 10:07:00