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TK4A80E	文件：385.61 Kbytes Page：9 Pages	Marking：K4A80E；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.8Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.4mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK4A80E

文件：385.61 Kbytes

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Marking：K4A80E；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.8Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.4mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多K4A80E供应商更新时间2025-5-17 16:20:00

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