丝印：K4F；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS

1. Applications • Automotive • Motor Drivers • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Small, thin package (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.65 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V) (5) Enhancement mode:

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TOSHIBA

东芝

1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

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Samsung

三星

1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

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三星

1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

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4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

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三星

4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

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4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

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三星

4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

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