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TK4A60DB中文资料东芝数据手册PDF规格书

TK4A60DB
厂商型号

TK4A60DB

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

丝印标识

K4A60DB

文件大小

261.5 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 22:59:00

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TK4A60DB规格书详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.2 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600V)

• Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    TK4A60DB

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    MOSFET,N CH,600V,3.7A,SC-67

  • 功能描述:

    MOSFET,N CH,600V,3.7A,SC-67; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    3.7A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    600V; On Resistance

  • Rds(on):

    1.6ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Power Dissipation

  • Pd:

    35W; No. of

  • Pins:

    3 ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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