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IXFL30N120P

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXFL30N120P

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:115.87 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN30N120P

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:114.6 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN30N120P

Power MOSFET

文件:137.85 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGA30N120

Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=3.5V@IC=30A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Frequency Converters ·Air Conditioning ·UPS,PFC ·Motor Drives

文件:348.6 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    IXFL30N120P

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
23+
ISOPLUS i5-PAC?
325680
原装正品 华强现货
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IXYS
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IXYS
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IXYS
22+
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IXYS
22+
ISOPLUSi5Pak?
9000
原厂渠道,现货配单
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IXYS
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ISOPLUSi5-Pak?
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IXYS(艾赛斯)
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IXYS/艾赛斯
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更多IXFL30N120P供应商 更新时间2026-1-29 8:31:00