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IXFL40N110P

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXFL40N110P

Power MOSFET

文件:186.73 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN40N110P

Power MOSFET

文件:141.07 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN40N110P

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:116.07 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

TGAN40N110FD

Field Stop Trench IGBT

Features •1100V Field Stop Trench Technology •High Speed Switching •Low Conduction Loss •Positive Temperature Coefficient •Easy Parallel Operation •RoHSCompliant •JEDEC Qualification Applications Induction Heating, Soft switching application

文件:943.78 Kbytes 页数:8 Pages

TRINNO

详细参数

  • 型号:

    IXFL40N110P

  • 功能描述:

    MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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更多IXFL40N110P供应商 更新时间2026-1-29 8:31:00