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IXFL32N120P

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXFL32N120P

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:135.41 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN32N120

HiPerFET Power MOSFETs

文件:574.31 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN32N120P

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.31Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Battery Chargers ·High speed power switch

文件:563.35 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXFN32N120P

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:125.49 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFL32N120P

  • 功能描述:

    MOSFET 32 Amps 1200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264I
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原装正品 华强现货
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IXYS
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更多IXFL32N120P供应商 更新时间2026-1-29 8:31:00