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IXFB52N90P	文件：459.96 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=160mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·ACandDCMotorDrivers ·DC-DCConverters ·LaserDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXFN52N90P	文件：119.16 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackage •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •AvalancheRated •Lowpackageinductance •Fastintrinsicdiode Advantages •Lowgatedriverequirement •Highpowerdensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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IXFB52N90P

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N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=160mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·ACandDCMotorDrivers ·DC-DCConverters ·LaserDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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IXYS

IXYS Corporation

IXYS

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PolarPowerMOSFETHiPerFET

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IXYS

IXYS Corporation

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详细参数

型号：
IXFB52N90P
功能描述：
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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