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IXFB40N110P

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:125.93 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFL40N110P

Power MOSFET

文件:186.73 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN40N110P

Power MOSFET

文件:141.07 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN40N110P

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:116.07 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFB40N110P

  • 功能描述:

    MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264 PLUS
40000
原装正品 华强现货
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IXYS
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TO-3PL/264
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TO2643 TO264AA
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更多IXFB40N110P供应商 更新时间2026-1-26 8:34:00