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MJ4032	文件：88.99 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS MEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance DCCurrentGainhFE=3500(Typ)@lc=10A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntResi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ4032	文件：582.44 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJ4032	文件：79.26 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUMPOWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
MSOX4032A	文件：3.95466 Mbytes Page：37 Pages	InfiniiVision4000X-SeriesOscilloscopes	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
PBSS4032ND	文件：272.15 Kbytes Page：15 Pages	30V,3.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NT	文件：304.79 Kbytes Page：15 Pages	30V,2.6ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NT-Q	文件：292.12 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.6ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PT-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NX	文件：744.55 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.7ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PX. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedsw	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NZ	文件：737.96 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.9ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NZ-Q	文件：310.05 Kbytes Page：14 Pages	30V,4.9ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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