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PBSS4032NX分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS4032NX
厂商型号

PBSS4032NX

参数属性

PBSS4032NX 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 4.7A SOT89

功能描述

30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

6H

封装外壳

SC-62 / TO-243AA

文件大小

744.55 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-2 17:32:00

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PBSS4032NX规格书详情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS4032PX.

Features and benefits

■ Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ Optimized switching time

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High energy efficiency due to less heat generation

■ AEC-Q101 qualified

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

■ Power switches (e.g. motors, fans)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4032NX,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    340mV @ 270mA,5.4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    145MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 4.7A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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