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PBSS4032NX分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS4032NX |
参数属性 | PBSS4032NX 封装/外壳为TO-243AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 4.7A SOT89 |
功能描述 | 30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SC-62 / TO-243AA |
文件大小 |
744.55 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 17:32:00 |
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PBSS4032NX规格书详情
General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS4032PX.
Features and benefits
■ Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ Optimized switching time
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High energy efficiency due to less heat generation
■ AEC-Q101 qualified
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ Battery-driven devices
■ Power management
■ Charging circuits
■ Power switches (e.g. motors, fans)
产品属性
- 产品编号:
PBSS4032NX,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
340mV @ 270mA,5.4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
145MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89
- 描述:
TRANS NPN 30V 4.7A SOT89
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2511 |
SOT-89 |
360000 |
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