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PBSS4032NT分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS4032NT |
| 参数属性 | PBSS4032NT 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 2.6A TO236AB |
| 功能描述 | 30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
191.43 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | 未知制造商 |
| 企业简称 |
恩XP |
| 中文名称 | 未知制造商 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-1 17:06:00 |
| 人工找货 | PBSS4032NT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4032NT规格书详情
General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS4032PT.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ Optimized switching time
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High energy efficiency due to less heat generation
■ AEC-Q101 qualified
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ Battery-driven devices
■ Power management
■ Charging circuits
产品属性
- 产品编号：
PBSS4032NT,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
320mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
180MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 30V 2.6A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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SOT23 |
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