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PBSS4032NT	文件：191.43 Kbytes Page：14 Pages	30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PT. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurre	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032NT	文件：304.79 Kbytes Page：15 Pages	Marking：BM；Package：SOT23；30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NT-Q	文件：292.12 Kbytes Page：14 Pages	Marking：BM；Package：SOT23；30 V, 2.6 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PT-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NT,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 2.6A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4032NX	文件：744.55 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.7ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PX. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedsw	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NZ	文件：205 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.9ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032NZ	文件：737.96 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.9ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NZ-Q	文件：310.05 Kbytes Page：14 Pages	30V,4.9ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PD	文件：190.86 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032ND. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrent	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032PD	文件：304.16 Kbytes Page：15 Pages	30V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS4032NT
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANSISTORNPN30V2.6ASOT23
功能描述：
TRANSISTOR,NPN,30V,2.6A,SOT23
功能描述：
TRANSISTOR,NPN,30V,2.6A,SOT23; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
30V; Transition Frequency Typ
ft：
180MHz; Power Dissipation
Pd：
390mW; DC Collector
Current：
2.6A; DC Current Gain
hFE：
500; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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