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PBSS4032NT	文件：304.79 Kbytes Page：15 Pages	Marking：BM；Package：SOT23；30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NT-Q	文件：292.12 Kbytes Page：14 Pages	Marking：BM；Package：SOT23；30 V, 2.6 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PT-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NT,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 2.6A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4032NX	文件：744.55 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.7ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PX. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedsw	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NZ	文件：737.96 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.9ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NZ-Q	文件：310.05 Kbytes Page：14 Pages	30V,4.9ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PD	文件：304.16 Kbytes Page：15 Pages	30V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PT	文件：181.22 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistorRev.01??18December2009	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4032PT	文件：294.56 Kbytes Page：15 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PT-Q	文件：280.35 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NT-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS4032NT
功能描述：
两极晶体管 - BJT BISS Transistor Hi-Speed Switch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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