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PBSS4032NT	文件：191.43 Kbytes Page：14 Pages	30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4032PT. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ Optimized switching time ■ High collector curre 文件：191.43 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4032NT	文件：304.79 Kbytes Page：15 Pages	丝印：BM；Package：SOT23；30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * Optimized switching time * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High energy efficiency due to less heat generation * AEC-Q101 qualified * Smaller required Printed-Circuit Bo 文件：304.79 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NT-Q	文件：292.12 Kbytes Page：14 Pages	丝印：BM；Package：SOT23；30 V, 2.6 A NPN low VCEsat transistor 1. General description NPN low VCEsat transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4032PT-Q 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • Optimized switching time • High collector current capability IC and ICM 文件：292.12 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032NT	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n PNP complement: PBSS4032PT. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• Optimized switching time\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• High energy efficiency due to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified\n• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) ar;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4032NT	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor	恩XP 恩智浦	恩XP
PBSS4032NT-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2.6 A NPN low VCEsat transistor	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4032NT,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 2.6A TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
390
VCEO [max] (V)：
30
IC [max] (mA)：
2600
hFE [min]：
300
Tj [max] (°C)：
150
Automotive qualified：
Y

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